特許

J-GLOBAL ID：200903017066125381

ドライエッチング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234967
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 ブランケットCVD法により成膜されたW層(Blk-W層)のエッチバックにおいて、ローディング効果を抑制し、Ti系バリヤメタルに対する選択性を向上させ、かつBlk-W層の表面を平滑化する。【構成】 まず、S2 F2 /H2 混合ガスを用いてBlk-W層5の大部分をエッチバックする。S2 F2 から解離生成するS(イオウ)がBlk-W層5の微細な表面凹凸を埋め込むと同時に、F* が高速なラジカル反応を進行させる。次に、HBrガスを用い、ウェハを加熱しながらオーバーエッチングを行う。BrとWとの反応生成物WBr6 は蒸気圧が比較的低いので、エッチングを低速化してローディング効果を抑制できる。一方、BrとTiとの反応生成物TiBr4は蒸気圧が比較的高いので、TiNバリヤメタル4に対して高選択比が達成できる。

請求項（抜粋）：

チタン系バリヤメタルと高融点金属層とをこの順に積層することにより構成され、層間絶縁膜に開口された接続孔を略平坦に埋め込むごとく形成されてなる積層配線層をエッチバックするドライエッチング方法において、フッ素系化合物を含むエッチング・ガスを用い、前記高融点金属層上に堆積物層が形成される過程とエッチング過程とを競合させながらこの高融点金属層を実質的に前記チタン系バリヤメタルが露出する直前までエッチバックする工程と、臭素系化合物を含むエッチング・ガスを用い、被エッチング基板を加熱しながら前記高融点金属層をオーバーエッチングする工程と、前記チタン系バリヤメタルをエッチバックする工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90