特許

J-GLOBAL ID：200903017066671238

半導体装置およびその製造方法

発明者： 塚本 和宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001019
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203812
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 常に安定した良好な電気特性を有するスタックト構造のコンタクトホール部を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上のコバルトシリサイド膜4上の第1の層間絶縁膜5をエッチングして、無機CVD法によるバリアメタル膜106、更にタングステン膜7を堆積して第1のWプラグ108を形成する。その後、第2の層間絶縁膜15を形成し、キャパシタ16を形成する。その後、第3の層間絶縁膜20を形成し、第3の層間絶縁膜20中に有機CVD法によるバリアメタル膜110、更にタングステン膜11を堆積して第2のWプラグ112を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、上記層間絶縁膜中にバリアメタル膜とタングステン膜とからなる複数のプラグを複数段連結してなるスタックト構造のコンタクトホール部を形成する半導体装置の製造方法において、上記複数のプラグのバリアメタル膜を各段毎に無機CVD法または有機CVD法のいずれかを選択して形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 621 B

Fターム (65件)：

4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104DD06 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104EE08 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH16 ,  4M104HH18 ,  5F033HH04 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN20 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ71 ,  5F033RR06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F083AD42 ,  5F083GA02 ,  5F083GA29 ,  5F083JA04 ,  5F083JA32 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12