特許
J-GLOBAL ID:200903017068854445
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-282385
公開番号(公開出願番号):特開2009-111187
出願日: 2007年10月30日
公開日(公表日): 2009年05月21日
要約:
【課題】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層を有する安価な半導体装置であって、該メッキ電極層を利用した両面放熱が可能であると共に、チップ端部における該メッキ電極層の剥がれが発生し難い半導体装置を提供する。【解決手段】主面側と裏面側の両方にメッキ電極層M1,M2aを有する同一構造の半導体装置100が、一枚の半導体ウェハに複数個形成され、これらが個々のチップに切り出されてなる半導体装置100であって、主面側と裏面側のいずれのメッキ電極層M1,M2aも半導体ウェハの切り出し線CLに掛からないようにして配置され、切り出し線CLに沿って各チップに切り出されてなる半導体装置100とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
主面側と裏面側の両方にメッキ電極層を有する同一構造の半導体装置が、一枚の半導体ウェハに複数個形成され、これらが個々のチップに切り出されてなる半導体装置であって、
前記半導体装置における主面側と裏面側のいずれのメッキ電極層も、前記半導体ウェハの切り出し線に掛からないようにして、該半導体装置が該半導体ウェハに配置され、
該半導体装置が、前記切り出し線に沿ってチップに切り出されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 21/28
, H01L 21/60
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 27/04
FI (9件):
H01L21/28 301Z
, H01L21/60 321E
, H01L21/88 Z
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 652L
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 652Q
Fターム (23件):
4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104DD26
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104GG09
, 4M104GG18
, 4M104HH08
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH13
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033MM30
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033VV06
, 5F033VV07
, 5F033XX13
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)