特許

J-GLOBAL ID：200903017071035315

半導体装置

発明者： 北村 富士夫 ,  桑村 誠 ,  中谷 洋幸
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142110
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315473
出願日： 1992年05月06日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生成物。【化1】(C)無機質充填剤。【効果】 リードフレームとの接着性に優れており、リードフレームと封止樹脂との界面への水分の浸入が抑制され、優れた耐湿信頼性を備えており、高温高湿雰囲気下で使用しても高い信頼性を有している。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生成物。【化1】(C)無機質充填剤。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/40 NJJ ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/50