特許

J-GLOBAL ID：200903017073267132

シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜および半導体デバイス

発明者： 島村 泰夫 ,  森嶋 浩之 ,  内村 俊一郎
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284331
公開番号（公開出願番号）：特開平6-136124
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月17日
要約：

【要約】【目的】 含まれるハロゲン化水素量を低減しLSIなどの信頼性を向上させるシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。【構成】 RnSiX4-n(式中Rは水素または炭素数1〜3のアルキル基、Xはハロゲン、nは1〜2の整数を示す。)で表されるシラン化合物を加水分解重合させる際に、シラン化合物、溶媒及び酸触媒の混合溶液に水を加えてシラン化合物を加水分解重合後、反応液をイオン交換水で洗浄し、溶媒を蒸発させて固体にし、さらに塗布溶媒を加えてシリカ系被膜形成用塗布液とする。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中Rは水素または炭素数1〜3のアルキル基、Xはハロゲン、nは1〜2の整数を示す。)で表されるシラン化合物を溶媒中で加水分解重合させてシリカ系被膜形成用塗布液を調整する際に、一般式(I)で表されるシラン化合物、溶媒及び酸触媒の混合溶液に水を加えてシラン化合物を加水分解重合後、反応液をイオン交換水で洗浄し、溶媒を蒸発させて固体にし、さらに塗布溶媒を加えることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法。

IPC (6件)：

C08G 77/06 NUB ,  C08G 77/32 NUE ,  C08J 5/18 CFH ,  C09D183/04 PMS ,  H01L 21/314 ,  H05K 3/28