特許
J-GLOBAL ID：200903017074721589
薄膜多層基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245725
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111588
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 素子実装密度を低下させることなく、簡便な製造工程により、EMIノイズを低減することができる高速信号を取扱う多層配線基板及びその製造方法を提供する。【構成】 基板11上に電解めっきの電流給電用導体膜12を形成する工程と、ホトレジスト13を塗布し、ホトリソグラフィにより開口部14a,14bを形成する。次いで同じ要領で電流給電用導体膜12を露出させ、その開口部内に電解めっきにより下層導体15a,15bを形成し、それに接続されるポスト状導体18a,18bを形成し、その周囲に環状磁性体薄膜21a,21bを形成する。
請求項（抜粋）：
ポスト状導体を用いて層間接続を行う薄膜多層基板において、電解めっきにより形成される配線導体を取り巻く環状磁性体薄膜を内挿し、EMIノイズの低減を行うことを特徴とする薄膜多層基板。
IPC (2件)：
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