特許
J-GLOBAL ID：200903017080013316
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244153
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】本発明はBやPを含まないシリコン酸化膜に対して選択的にBPSG膜をドライエッチングすることを目的とする。【構成】CGF3 とCF4 とCOの混合ガスを用いてBPSG膜7をエッチングすることにより、混合ガス中のCGF3 およびCF4 との反応により発生するCを上記半導体基板のエッチング側壁に堆積させるとともに、前記反応により発生するOを上記混合ガス中のCOと反応させてCO2 を生成させ、前記CO2 を上記反応室の外部へ排出することにより、シリコン酸化膜に対して選択的にBPSG膜7をエッチングできるドライエッチングを提供できる。【効果】自己整合コンタクト形成やBPSG膜の膜厚バラツキを吸収できるプロセスが可能である。
請求項（抜粋）：
反応室内に載置された半導体基板表面に形成されているBPSG膜に対して選択的にドライエッチングを行うドライエッチング方法であって、上記反応室内にCHF3 とCF4 とCOとの混合ガスを供給して上記BPSG膜に対して選択的にドライエッチングを行い、上記ドライエッチング時に、上記BPSG膜と上記混合ガス中のCHF3 およびCF4 との反応により発生するCを上記半導体基板のエッチング側壁に堆積させるとともに、上記反応により発生するOを上記混合ガス中のCOと反応させてCO2 を生成させ、上記CO2 を上記反応室の外部へ排出することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
