プラズマ処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-087743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286235
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】高周波電流のリターン電流によって異常放電が生じ難いプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】内部が真空状態に保持可能なチャンバー1と、基板Wを支持するとともに、高周波が印加される下部電極2と、下部電極に対向して設けられた上部電極16と、下部電極2に高周波を印加して、上部電極および下部電極の間に処理ガスのプラズマを形成する高周波電源11と、高周波電源11から下部電極2に給電するための給電部材8と、プラズマから少なくともチャンバー1内壁を通って高周波電源へ戻るリターン電流回路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段30とによりプラズマ処理装置が構成される。

請求項（抜粋）：

内部が真空状態に保持可能なチャンバーと、前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、前記チャンバー内に処理ガスを導入するガス導入機構と、被処理体を支持するとともに、高周波が印加される下部電極と、前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、前記チャンバー外に設けられ、前記下部電極に高周波を印加して、上部電極および下部電極の間に処理ガスのプラズマを形成する高周波電源と、前記高周波電源から前記下部電極に給電するための給電部材と、プラズマから少なくともチャンバー内壁を通って高周波電源へ戻るリターン電流回路のインピーダンスを調整するインピーダンス調整手段とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 E , C23C 16/50 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H05H 1/46 R

Fターム (41件)：

4K030FA03 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA49 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DD01 , 4K057DM01 , 4K057DM02 , 4K057DM03 , 4K057DM06 , 4K057DM08 , 4K057DM31 , 4K057DM33 , 4K057DM37 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 4K057DN02 , 5F004BB13 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BC08 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045BB20 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EJ01 , 5F045EJ02 , 5F045EJ03 , 5F045EJ05 , 5F045EM05 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (4件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-145785 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203794 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058516 出願人：株式会社フロンテック, 日本真空技術株式会社

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審査官引用 (3件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-145785 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-203794 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-058516 出願人：株式会社フロンテック, 日本真空技術株式会社

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