特許
J-GLOBAL ID：200903017083543863
半導体装置の製造方法及び半導体リードフレーム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
狩野 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100633
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284117
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 材料費が比較的安く、寸法精度が高い、高消費電力半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 平板条材から打抜き加工によりチップパッド準備部及びリード部を形成し、チップパッド準備部を角絞り加工して上方開放角カップ状のチップパッド部を形成する。次に、リード部のインナーリード端がチップパッド部の周辺わずか上方に位置するようにダウンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面に半導体チップを貼り付け、半導体チップの各電極と各インナーリード端とを導線で接続し、その後に、チップパッド部の外底面が露出するように樹脂モールディング加工する。
請求項（抜粋）：
リードフレーム用合金平板からプレス打抜き加工により、チップパッド準備部及びリ-ド部を形成し、次に、当該チップパッド準備部をプレス角絞り加工して、底面及び側面を有する上方開放角カップ状のチップパッド部を形成し、次に、リ-ド部のインナ-リ-ドの端部がチップパッド部の周縁のわずか上方に離れて位置するようにダウンセット加工し、続いて、チップパッド部の内底面の上に半導体チップを貼り付け、次に、半導体チップの各電極と各インナ-リ-ドの端部との間を導線によって接続するワイヤ-ボンディング加工し、その後に、チップパッド部の外底面が露出するように樹脂モ-ルディング加工して半導体装置を製造する方法。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 23/48
H01L 23/50 A
, H01L 23/50 F
, H01L 21/56 T
, H01L 23/28 B
, H01L 23/48 G
