特許
J-GLOBAL ID:200903017083972640

薄膜エレクトロルミネセンス素子のシール形成方法及びエレクトロルミネセンス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上野 英夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-149655
公開番号(公開出願番号):特開平9-017572
出願日: 1996年06月12日
公開日(公表日): 1997年01月17日
要約:
【要約】【課題】薄膜エレクトロルミネセンス素子のシールを廉価で簡単に形成する。【解決手段】薄膜エレクトロルミネセンス素子を基板上に設け、集積回路製造法を利用して、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子の上部表面と少なくとも1つのエッジに一体化カプセル封じ薄層(26、28)を形成する。
請求項(抜粋):
薄膜エレクトロルミネセンス素子のシール形成方法であって、活性半導体層を含む複数の層からなり、第1の表面を備えた薄膜エレクトロルミネセンス素子を設けるステップと、集積回路製造法を利用して、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子の前記第1の表面及び少なくとも1つのエッジに一体化カプセル封じ薄層を形成することを含めて、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子にカプセル封じを施し、前記活性半導体層が、集積回路製造法を用いて形成される前記カプセル封じ薄層によって周囲の雰囲気からシールされるようにするステップから構成される、方法。

前のページに戻る