特許
J-GLOBAL ID:200903017087708085

Re系酸化物超電導線材及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 守谷 一雄 ,  渡部 弘道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-001443
公開番号(公開出願番号):特開2009-164010
出願日: 2008年01月08日
公開日(公表日): 2009年07月23日
要約:
【課題】超電導体中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたRe系酸化物超電導線材を得る。【解決手段】複合基板の中間層上に、Ba濃度を低減したRe系超電導体を構成する金属元素を含む有機金属錯体溶液とBaと親和性の大きいZr、Ce、Sn又はTiから選択された少なくとも1種以上の金属を含む有機金属錯体溶液からなる混合溶液中を塗布後、焼成して、人工的にZr含有酸化物粒(磁束ピンニング点)を微細分散させることにより、Jcの磁場印加角度依存性(Jc,min/Jc,max)を著しく向上させることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に中間層を介して形成したReBayCu3Oz系超電導体において、前記Reは、Y、Nd、Sm、Gd又はEuから選択されたいずれか1種の元素からなり、前記Baのモル比をy<2の範囲内とするとともに、前記超電導体中にZrを含む50nm以下の酸化物粒子を磁束ピンニング点として分散させたことを特徴とするRe系酸化物超電導線材。
IPC (5件):
H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  C01G 3/02 ,  C01G 1/00 ,  H01F 6/06
FI (5件):
H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  C01G3/02 ,  C01G1/00 S ,  H01F5/08 B
Fターム (20件):
4G047JA05 ,  4G047JB04 ,  4G047JC03 ,  4G047KA04 ,  4G047KA11 ,  4G047KD02 ,  4G047LA02 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA02 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB22 ,  5G321DB41 ,  5G321DB46 ,  5G321DB47
引用特許:
出願人引用 (2件)

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