特許
J-GLOBAL ID：200903017089633503
ショットキーゲート型電界効果トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074184
出願日： 1993年09月06日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 電流駆動能力を低下させずゲート耐圧の向上を目指した非対象MESFETの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 動作層2が形成されている半絶縁性基板1上に動作層2上及び動作層上以外の各一部に各々の絶縁膜3,4を形成し、ショットキー電極用金属5を堆積し動作層2上以外に形成した絶縁膜4をゲート形成用リソグラフィ工程におけるアライメントマークとして使用し、動作層2上に堆積されている絶縁膜3と動作層2上に堆積してあるショットキー電極用金属5に跨がるようにレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに下地のショットキー電極用金属をエッチングしゲート電極7を形成し、このゲート電極7をマスクにして高濃度イオン注入を行ないソース領域8、ドレイン領域9を形成する。
請求項（抜粋）：
動作層が形成されている半絶縁性基板上に、前記動作層上及び動作層以外の各一部に絶縁膜を形成する工程と、ショットキー電極用金属を堆積する工程と、前記動作層上以外に形成した前記絶縁膜をゲート形成用リソグラフィ工程におけるアライメントマークとして使用し、前記動作層上に堆積されている前記絶縁膜と前記動作層上に堆積してある前記ショットキー電極用金属上に跨がるようにレジストパターンを形成する工程と、前記レジスタパターンをマスクに下地の前記ショットキー電極用金属をエッチングする工程と、エッチングされた前記ショットキー電極用金属をマスクにして高濃度イオン注入を行う工程とを備えたことを特徴とするショットキーゲート型電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
