特許
J-GLOBAL ID:200903017093895652
セラミック緻密薄膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡部 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-329485
公開番号(公開出願番号):特開平9-147888
出願日: 1995年11月27日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 量産性、大面積適用容易性、経済性を有する10〜数百μm の範囲の緻密なセラミック薄膜(固体電解質薄膜等)形成方法を提供する。【解決手段】 本発明のセラミック緻密薄膜の形成方法以下の工程を含む;?@ セラミック材料の粒子を含むスラリーを調整するスラリー調整工程?A 該セラミック材料の微粒子を含むゾルを調整するゾル調整工程?B 基板上に上記スラリー及びゾルを個別に適用して乾燥することにより、該スラリー又はゾルのコート層を複数層積層する積層コート工程?C この積層されたコート層を共焼成する焼成工程。ゾル粒子は焼結助剤としての役割を果たす。
請求項(抜粋):
緻密なセラミック薄膜をスラリーコート法により基板上に形成する方法であって;該セラミック材料の粒子を含むスラリーを調整するスラリー調整工程と、該セラミック材料の微粒子を含むゾルを調整するゾル調整工程と、基板上に上記スラリー及びゾルを個別に適用して乾燥することにより、該スラリー又はゾルのコート層を複数層積層する積層コート工程と、この積層されたコート層を共焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とするセラミック緻密薄膜の形成方法。
IPC (3件):
H01M 8/02
, C04B 35/00
, G01N 27/409
FI (4件):
H01M 8/02 K
, C04B 35/00 Z
, G01N 27/58 B
, G01N 27/58 A
引用特許:
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