特許
J-GLOBAL ID：200903017095103850
位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
市之瀬 宮夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-232683
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 異物あるいはピンホールを内容とする欠陥の非常に少ない位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法を提供する。【構成】 基材1上に、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成手段による二酸化けい素膜の形成及び該二酸化けい素膜表面の洗浄を複数回繰り返して二酸化けい素膜2〜5を形成した後、さらにその上に前記と同様の薄膜形成手段によって二酸化けい素膜6を形成し、しかる後に該二酸化けい素膜6の表面を研摩して最終的に所定の厚さの二酸化けい素膜を得る。
請求項（抜粋）：
基材上に、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成手段による位相推移層の形成及び該位相推移層表面の洗浄を少なくとも1回行なった後、さらにその上に前記薄膜形成手段により位相推移層を形成し、しかる後に該位相推移層表面を研摩することにより最終的に所定の厚さの位相推移層を得ることを特徴とする位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
