特許

J-GLOBAL ID：200903017106399633

ダイヤモンド薄膜形成法

発明者： 森本 信吾 ,  小柳 直樹 ,  小畑 龍夫 ,  青山 昇
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社 ,  オグラ宝石精機工業株式会社
代理人 (1件)： 寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-328239
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311442
出願日： 1992年12月08日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：

【要約】【目的】 CVDダイヤモンド析出層の基材への強い接着力を持たせる方法を提供する。【構成】 析出させる基材上に所定寸法の溝を設けた後、ダイヤモンド薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

気相合成法にてダイヤモンド薄膜を形成させる方法において、幅5〜200μm、深さ5〜200μmの溝をピッチ10〜500μmで刻んだ基材上に形成させることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04