特許

J-GLOBAL ID：200903017113123180

薄膜素子の製造方法及び液晶表示装置の製造方法

発明者： 田辺 佳彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022053
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218783
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 導電性薄膜を絶縁する感光性樹脂膜にコンタクトホールを形成する際の、導電性薄膜のパターン形状との位置合わせ精度を向上し、コンタクトホールの微細加工を実現し、高精細・高密度の液晶表示装置の開口率の向上を図る。【解決手段】 ソース電極28領域において、ソース電極28のパターンよりも小さい領域[B]の感光性アクリル樹脂膜12を露光後、アルカリ性溶液によって現像を行う。これによりエッチング除去された露光領域[B]をきっかけに感光性アクリル樹脂膜12とソース電極28との間にアルカリ性溶液を浸透し、感光性アクリル樹脂膜12とソース電極28間のアルカリ性溶液に対する密着性の弱さによりソース電極28のパターン領域[A]とほぼ相似形状の感光性アクリル樹脂膜12を剥離除去してコンタクトホール31を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に所定パターンの導電性薄膜をパターン形成する第1の工程と、前記導電性薄膜を覆って絶縁性の感光性樹脂膜を成膜する第2の工程と、前記感光性樹脂膜を露光した後現像液に浸すことにより前記導電性薄膜上にコンタクトホールを形成する第3の工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電性薄膜と接続される電極パターンを形成する第4の工程とを具備し、前記感光性樹脂膜と前記導電性薄膜との間の現像液に対する密着性が前記感光性樹脂膜と前記絶縁性基板との間の現像液に対する密着性よりも弱く、前記第3の工程において前記導電性薄膜パターンよりも小さい領域に露光した後前記感光性樹脂膜を現像液に浸す事を特徴とする薄膜素子の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 C