ECRプラズマCVD法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146069
公開番号（公開出願番号）：特開平5-339735
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月21日
要約：

【要約】【目的】チタンナイトライド膜の成膜においてパーティクル数を低減するECRプラズマCVD法を得る。【構成】チタンナイトライド(TiN)のECRプラズマCVDに用いるガスを、炭素(C)やイオウ(S)を含まないガスとし、且つ塩素を含むNCl3などのガスを用いる。プラズマ中で遊離されるNラジカルはN2として排気され、Clラジカルは余分なTiやTiN膜をクリーニングして、パーティクル数を低減することが可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくともイオウ(S)または炭素(C)を構成成分として含まず、塩素(Cl)を構成成分として含む原料ガスをプラズマCVD室に供給し、プラズマにより該プラズマCVD室に付着した堆積物を除去することを特徴とするECRプラズマCVD法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-110469
特開昭57-049234
特開平1-159378

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審査官引用 (6件)

特開平4-110469
特開平4-110469
特開昭57-049234

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