特許
J-GLOBAL ID:200903017115049718
サブマウントおよび半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上代 哲司 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-127948
公開番号(公開出願番号):特開2002-368020
出願日: 2002年04月30日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 高い接合強度で半導体発光素子を取りつけることができるサブマウントを提供する。【解決手段】 サブマウントは、サブマウント基板と、サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層と、それらの間に、サブマウント基板側から遷移元素の少なくとも1種を主成分とする遷移元素層と貴金属の少なくとも1種を主成分とする貴金属層とが積層されたはんだ密着層を備える。半導体装置は、サブマウントのはんだ層上に搭載された半導体発光素子を備える。
請求項(抜粋):
サブマウント基板と、前記サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備えたサブマウントにおいて、前記サブマウント基板と前記はんだ層の間に、前記サブマウント基板側から遷移元素の少なくとも1種を主成分とする遷移元素層と貴金属の少なくとも1種を主成分とする貴金属層とが積層されたはんだ密着層を備え、該はんだ密着層の前記はんだ層側の面が前記はんだ層に面接触するように形成された、サブマウント。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/52 E
, H01S 5/022
Fターム (17件):
5F047AA19
, 5F047BA05
, 5F047BA15
, 5F047BA19
, 5F047BA41
, 5F047BB16
, 5F047BC07
, 5F047BC13
, 5F047BC14
, 5F047CA08
, 5F073BA05
, 5F073BA09
, 5F073EA29
, 5F073FA15
, 5F073FA18
, 5F073FA21
, 5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭60-074539
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特開昭60-074539
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錫-銀系合金電気めっき浴
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-138903
出願人:ユケン工業株式会社
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