特許

J-GLOBAL ID：200903017115114390

素子分離絶縁膜の形成方法及び、半導体装置の製造方法

発明者： 後藤 欣哉 ,  松浦 正純 ,  森本 昇
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218390
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033381
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の肩部を丸みを帯びた形状としつつ、トレンチの内壁酸化膜の膜厚を薄く設定し得る素子分離絶縁膜の形成方法を得る。【解決手段】 シリコン窒化膜3をエッチングマスクに用いて、シリコン基板1の深さ方向にエッチングレートの高い異方性ドライエッチング法によって、シリコン基板1をその上面から所定の深さ(例えば300nm)だけエッチングする。これにより、シリコン基板1の上面内にトレンチ5を形成する。次に、周知のプラズマ酸化装置内において、高濃度の酸化性ガス(例えば酸素ガス)を用いたプラズマ酸化法によって、トレンチ5の内壁に、膜厚が15nm程度のシリコン酸化膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)基板を準備する工程と、(b)前記基板の主面内に、凹部を選択的に形成する工程と、(c)プラズマ酸化によって、前記凹部の内壁に酸化膜を形成する工程と、(d)前記酸化膜が形成された前記凹部内に、絶縁膜を埋め込む工程とを備える、素子分離絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/76 L

Fターム (19件)：

5F032AA14 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA77 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F058BA02 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ06