特許

J-GLOBAL ID：200903017121373446

基板処理装置

発明者： 児島 賢
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059677
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273605
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】処理室内でウエハにCVD膜がデポジションする際、インナーチューブ側部内壁面にも、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していく。このCVD膜が累積し、パーティクルが発生する原因となる。このパーティクルを除去するのにメンテナンスを度々する必要があった。【解決手段】インナ-チューブの、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口を有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通するように形成させ、前記ガス導入部から不活性ガスを供給し、インナーチューブの側部内面付近に不活性ガスを添いながら、上昇させ、インナーチューブへのCVD膜の累積を防ぐ。【効果】処理室内のパーティクルの発生を低減でき、メンテナンスの頻度を少なくすることができ、稼動率・生産性を向上させることができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

複数枚の基板を処理する処理室を形成する内管と、 この内管を取り囲む外管と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入する基板保持具とを備えている基板処理装置において、 前記内管は、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口とを有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通して形成されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/44 F ,  C23C16/455

Fターム (19件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030KA05 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB33 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EC07 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08