特許

J-GLOBAL ID：200903017123131873

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北原 邦紀 ,  松宮 康夫 ,  大塚 信幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-107184
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321108
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 電極配線を構成する導電体層の構造及びその形成方法に関し、気相成長手段により段差被覆性、密着性に優れ低抵抗な電極配線を形成する際の装置構成及び成膜工程の簡略化を図る。【構成】 絶縁膜2上に配設される導電体層4による電極配線が、下部の該絶縁膜2との間に、該導電体層4を構成する金属元素の中の少なくとも1種類のIII族元素と少なくとも1種類のV族元素との化合物からなって該導電体層4の下面と該絶縁膜2の上面とに直に接する中間層3を有してなる半導体装置、及び上記電極配線を形成するに際し、絶縁膜2上に該導電体層4を構成する金属元素の中の少なくとも1種類のIII 族元素と少なくとも1種類のV族元素との化合物からなる中間層3をCVD 若しくはMBE 手段により形成した後、該中間層3上に該導電体層4をCVD 若しくはMBE 手段により形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁膜(2) 上に配設される導電体層(4) による電極配線が、下部の該絶縁膜(2) との間に、該導電体層(4) を構成する金属元素の中の少なくとも1種類のIII 族元素と、少なくとも1種類のV族元素との化合物からなって該導電体層(4) の下面と該絶縁膜(2) の上面とに直に接する中間層(3) を有してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 N