特許
J-GLOBAL ID：200903017126564860
異物検査方法および異物検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115752
公開番号（公開出願番号）：特開平6-331559
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 SOIウエハの表面異物を高精度に検出する。【構成】 Si基板7の主面に設けたSiO2 膜9上に0.5μmの厚さのシリコン層10を有するSOIウエハの表面異物を検査するに際して、波長が250nmとなる紫外線3をウエハ表面に照射し、ウエハ1の表面の異物12からの散乱光6を、正反射光4の光路から外れた位置に配設した検出器5で検出する。紫外線3のシリコン層10内における入射強度の1/eになる深さは、50nmとなり、SiO2 膜9とシリコン層10との界面11には到達しなくなる。したがって、前記界面11の異物12(内部異物13)を検出することなく、ウエハ1の表面の異物12のみを検出でき、高精度な異物検査が達成できる。
請求項（抜粋）：
板状体の主面に光を照射して板状体表面の異物に起因する散乱光を検出して板状体表面の異物を検出する異物検査方法であって、前記板状体の表面に紫外線を照射して板状体表面の異物を検出することを特徴とする異物検査方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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