特許

J-GLOBAL ID：200903017127470850

薄膜トランジスタ製造システム及び方法、ポリシリコン評価方法及びポリシリコン検査装置

発明者： 和田 裕之 ,  高徳 真人
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227807
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043383
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 アモルファスシリコン膜をエキシマレーザアニールすることにより形成されたポリシリコン膜の状態の評価をする。【解決手段】 本発明は、形成したポリシリコン膜の状態を評価して、そのポリシリコン膜の製造マージンを求め、この製造マージンに基づき、エキシマレーザアニール装置のパワー設定を行う。アモルファスシリコン膜に対してアニール処理を行いポリシリコン膜を形成したときに、このアニール処理時においてアモルファスシリコンに与えるエネルギーに応じて、形成されたポリシリコン膜の膜表面の空間構造に直線性や周期性が現れる。この直線性や周期性を画像処理したのち、その画像から直線性や周期性を自己相関関数を利用して数値化する。そして、S/D領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値との差分を求め、この差分値に基づき製造マージンを算出する。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを製造する薄膜トランジスタ造システムにおいて、基板上に金属パターンを形成し、上記金属パターンを形成した基板上にアモルファスシリコン膜を成膜する成膜装置と、アモルファスシリコン膜に対してアニール処理することによってチャネル層となるポリシリコン膜を生成するレーザアニール装置と、上記ポリシリコン膜の表面の空間構造を観察する観察手段と、上記観察手段により観察された上記ポリシリコン膜の表面の空間構造を評価し、この空間構造の評価結果に基づき、上記ポリシリコン膜の状態を検査するポリシリコン検査装置とを備え、上記検査装置は、基板に対して金属パターン上に形成された上記ポリシリコン膜表面の空間構造を評価して数値で表し、基板に対して金属パターン上以外の場所に形成された上記ポリシリコン膜表面の空間構造を評価して数値で表し、上記金属パターン上に形成された上記ポリシリコン膜表面の空間構造の評価数値と上記金属パターン上以外の場所に形成された上記ポリシリコン膜表面の空間構造の評価数値との差分値を算出し、この差分値に基づきポリシリコン膜の状態を評価し、上記レーザアニール装置又は成膜装置は、上記差分値を上記レーザアニール装置のレーザのエネルギ密度又は上記ポリシリコン膜の膜厚の制御パラメータとして、上記レーザのエネルギ密度及びポリシリコン膜の膜厚を制御することを特徴とする薄膜トランジスタ製造システム。

IPC (7件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/268 T ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (60件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AB01 ,  4M106BA07 ,  4M106CB30 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ38 ,  5F045AA06 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AF07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045DC51 ,  5F045GB11 ,  5F045GB13 ,  5F045GB16 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052JA02 ,  5F110AA17 ,  5F110AA24 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-178993   出願人：ソニー株式会社
• 多結晶シリコン薄膜の形成方法および多結晶シリコン薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122018   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292174   出願人：株式会社東芝
• レーザ照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-219200   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-277244