特許

J-GLOBAL ID：200903017128202175

半導体装置

発明者： 北村 富士夫 ,  長沢 徳 ,  五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299645
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036867
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 優れた耐湿信頼性を備えた半導体装置の提供を目的とする。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表され、重量平均分子量が300〜800で、かつ上記重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.0〜1.5であるエポキシ樹脂。【化1】(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表され、重量平均分子量が300〜800で、かつ上記重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.0〜1.5であるエポキシ樹脂。【化1】(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/24 NHQ