特許

J-GLOBAL ID：200903017128570751

絶縁膜形成方法

発明者： 池田 浩一 ,  前田 正彦
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-058677
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255794
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 段差被覆性の優れた状態で、電気容量の低い絶縁膜を、安定して形成できるようにすることを目的とする。【構成】 基板1の温度を400°Cとし、ガス導入管3aにより酸素7.5リットル/分、ガス導入管3bにより窒素キャリアガス18リットル/分,ガス導入管3cより導入する。ガス導入管3aにより導入される酸素は、その1〜5%がオゾンとなっている。そして、温度65°CとしたTEOSを1リットル/分のキャリアガスでバブリングして得たTEOSガスをガス導入管3cより導入し、常温のHFIPを1リットル/分のキャリアガスでバブリングして得たHFIPガスをガス導入管3dより導入する。

請求項（抜粋）：

アルコキシシランとオゾンと酸素とを反応ガスとして用いるCVD法によるシリコン酸化膜形成において、その成膜反応系にフッ素を含む有機物を添加することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  C23C 16/40

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C01B 33/12 C ,  C23C 16/40