特許

J-GLOBAL ID：200903017142154183

パターン形成方法

発明者： 酒井 伊都子 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159164
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013319
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 微細パターンを高精度かつ高効率に形成することを目的とする。【構成】 被パターニング材料16の全面上に薄膜のカ-ボン膜17を被着する工程と、活性化した酸素ガス雰囲気中においてカ-ボン膜17表面の所定部分に荷電粒子ビーム1を照射することにより、カ-ボン膜17の荷電粒子ビーム1が照射された部分のエッチングを促進し、カ-ボン膜17をパターニングする工程と、パターニングされたカ-ボン膜17をマスクとして、RIE法により方向性エッチングを行い、被パターニング材料16にカ-ボン膜17のパターンを転写する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

被パターニング材料上にカ-ボン膜を形成する工程と、活性化した酸素ガス雰囲気中において上記カ-ボン膜表面の所定部分に荷電粒子ビームを照射することにより、上記カ-ボン膜の上記荷電粒子ビームが照射された部分をエッチングし、上記カ-ボン膜をパターニングする工程と、上記パターニングされた上記カ-ボン膜をマスクとして方向性エッチングを行い、上記被パターニング材料に上記カ-ボン膜のパターンを転写する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/30 341 S ,  H01L 21/30 341 Z