特許
J-GLOBAL ID：200903017147133540
電子放出素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042552
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242796
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 電子放出特性の良好な電子放出素子を容易に製造することができるようにした製造方法を提供する。【構成】 ガラス等から成る基板11の上にシリコンから成る円錐状のエミッタ14と、その近傍で絶縁層15とその上のゲート電極16を形成する。エミッタ14の表面にその上方から炭素イオン17をイオン注入法により注入した後、300°C〜1200°Cの温度で数時間アニールすることにより、エミッタ14の表面を仕事関数の低いSiC層に変える。
請求項（抜粋）：
エミッタ表面に仕事関数の低い元素を導入する電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01L 49/00
