特許

J-GLOBAL ID：200903017150410210

半導体装置の製造方法

発明者： 近藤 英一 ,  山本 浩 ,  竹安 伸行 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070342
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283440
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 CVDによって、半導体基板上に良質なAl膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 気化させたジメチルアルミニウムハイドライドと希釈ガスとの混合原料ガスに対し加熱を施した後、半導体基板上に導入し、化学気相成長によって半導体装置のアルミニウム配線を形成する半導体装置の製造方法であって、加熱すべき混合原料ガスの温度をT(°C)、混合原料ガスに含まれるジメチルアルミニウムハイドライドのモル濃度をDMAH濃度(%)とすると、210-3.3×DMAH濃度≧T≧100により、ジメチルアルミニウムハイドライドのモル濃度に基づいて、加熱すべき混合原料ガスの温度T(°C)の範囲を規定する。

請求項（抜粋）：

気化させたジメチルアルミニウムハイドライドと希釈ガスとの混合原料ガスに対し加熱を施した後、半導体基板上に導入し、化学気相成長によって半導体装置のアルミニウム配線を形成する半導体装置の製造方法であって、 加熱すべき前記混合原料ガスの温度をT(°C)、前記混合原料ガスに含まれるジメチルアルミニウムハイドライドのモル濃度をDMAH濃度(%)とすると、 210-3.3×DMAH濃度≧T≧100により、ジメチルアルミニウムハイドライドのモル濃度に基づいて、加熱すべき前記混合原料ガスの温度T(°C)の範囲を規定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/3205