特許

J-GLOBAL ID：200903017154780306

発光ダイオードアレイ

発明者： 遠藤 学 ,  吉田 俊樹 ,  吉村 雅司
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136634
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326357
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 簡単に製造できる高密度発光ダイオードアレイを提供する。【構成】 図(A)に示すように、p型GaAs基板1上にp型Ga1-X AlXAs層2及びn型Ga1-Y AlY As層3がLPEなどにより順次エピタキシャル結晶成長されている。そして、SiNの選択拡散マスク5を発光ダイオード部の形成される部分列に付けた後、Znを選択拡散して、発光ダイオード部となる列の両側に、電流狭窄を行うp型拡散層7を発光ダイオード部となる列と平行に形成する。次に、図(B)に示すように、選択拡散マスク5を除去してから、発光部の列方向に対して垂直方向にp型Ga1-X AlX As層2の途中までエッチングして分離溝8を形成し、複数の発光ダイオード部に分離する。さらに、SiN等による絶縁保護膜4を成膜した後、その上にAuBu合金等を蒸着し、リソグラフィ技術とエッチング技術を用いてオーミック電極6を形成している。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に複数の発光ダイオードが選択拡散により列状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、前記各発光ダイオードは、前記発光ダイオード列と平行方向に前記選択拡散により形成された拡散層によって分離されると共に、前記発光ダイオード列と垂直方向に前記拡散層よりも深く形成された溝によって電気的に分離されていることを特徴とする発光ダイオードアレイ。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455