光起電力素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062898
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261087
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 i型半導体層とドーピング層の界面近傍に、キャリアの逆拡散および界面順位が低く、かつバンドギャップの広いi型層を有する光起電力素子を提供する。【解決手段】半導体層を接合する光起電力素子であって、真性半導体層の主構成成分であるIV族元素の密度が小さくなっている領域(即ち、IV族元素低密度領域)が当該真性半導体層の形成面内に散在することを特徴とする光起電力素子とする。また、主成分であるIV族元素の密度が小さくなっている低密度領域が離散的に存在するバッファー層と、少なくとも一部が微結晶から成る実質的に真性の半導体層とを有することを特徴とする光起電力素子とする。

請求項（抜粋）：

真性半導体層を含む半導体接合を有する光起電力素子において、該真性半導体層の主構成成分であるIV族元素の密度が小さくなっているIV族元素低密度領域が、ドーピング層との界面近傍の該真性半導体層の形成面内に散在することを特徴とする光起電力素子。

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