特許

J-GLOBAL ID：200903017162183953

二重拡散層の作り込み方法

発明者： 澤田 睦美 ,  長安 芳彦 ,  藤島 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-135438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335559
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】半導体の表面部に互いに深さが異なるn形層とp形層からなる二重拡散層を作り込む際に深い方の拡散層内の不純物を設定どおり正確な濃度で作り込めるようにする。【構成】二重拡散層10の浅い方の例えばn形層11の不純物としての砒素Asと深い方のp形層12の不純物としてのボロンBをボロンの平均飛程が砒素Asの平均飛程より大きくなるように図1(b) と図1(c) の工程でそれぞれイオン注入した後に図1(d) の工程で砒素AsとボロンBを同時に熱拡散させる。

請求項（抜粋）：

半導体の表面部に互いに深さが異なるn形層とp形層からなる二重拡散層を作り込む方法であって、両層用の不純物を半導体の表面部に対してn形層とp形層用の不純物の一方の平均飛程が他方の平均飛程より大になるようそれぞれイオン注入した後に、n形層とp形層用の不純物を同時に熱拡散させることを特徴とする二重拡散層の作り込み方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (4件)：

H01L 29/78 301 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/72