特許

J-GLOBAL ID：200903017164550538

両面冷却型半導体カ-ドモジュ-ル及びそれを用いた冷媒間接冷却型半導体装置

発明者： 伴在 慶一郎
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-118057
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308237
出願日： 2000年04月19日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの両面から強力に冷却可能な両面冷却型半導体カ-ドモジュ-ルを提供すること。【解決手段】 半導体チップ2、3の両主面に個別に接合される一対の伝熱部材5、6がそれぞれセラミック薄膜11で被覆されているので、冷凍サイクル装置のエバポレ-タの同一電位の冷媒チュ-ブ100によりこれら両伝熱部材5、6を同時に冷却することができ、従来に比較して格段に大電流通電が可能な半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

一対の主面に一対の主電極を別々に設け、前記両主面の一方に制御電極を設けた半導体チップと、それぞれ金属板で構成された前記半導体チップの前記両主電極に別々に接合された一対の伝熱部材と、前記半導体チップの側面及び前記両伝熱部材の側面の一部を被覆する封止樹脂部と、前記封止樹脂部を貫いて前記半導体チップの前記主面と略平行に配設されて各内端部が前記両伝熱部材及び前記半導体チップの前記制御電極に別々に接続される三つ以上の端子と、前記封止樹脂部から露出する前記両伝熱部材の外部放熱面を被覆する電気絶縁性かつ良熱伝導性のセラミック薄膜と、を備えることを特徴とする両面冷却型半導体カ-ドモジュ-ル。

IPC (4件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/40 ,  H01L 23/427

FI (4件)：

H01L 23/40 D ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/36 A ,  H01L 23/46 A

Fターム (6件)：

5F036AA01 ,  5F036BA08 ,  5F036BC08 ,  5F036BD13 ,  5F036BE01 ,  5F036BE06