特許
J-GLOBAL ID：200903017167551349
成膜方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353562
公開番号（公開出願番号）：特開平7-194965
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：
【要約】【目的】 CVD装置やスパッタ装置等の減圧又は真空下で基板に成膜する装置で、基板を加熱する場合、基板カート等に膜が堆積しても安定的に加熱し、基板温度のロットによる変動を少なくすることにある。【構成】 真空又は減圧状態を保持し得るチャンバーと、該チャンバー内に配設された基板10を加熱する加熱手段(36)とを少なくとも備え、該チャンバー内で該基板10に成膜する成膜装置において、前記加熱手段(36)の放射面(38)の少なくとも一部に放射率を高める手段40を施し、あるいは基板10を保持して搬送する基板カート12の加熱される面の少なくとも一部に吸収率を高める手段24を施したことにある。
請求項（抜粋）：
真空又は減圧下で基板を加熱し、該基板の片面に成膜する方法において、前記基板の成膜面とは反対側に配設される加熱手段の放射面の少なくとも一部に放射率を高める処理をし、該基板を昇温させ易くしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
B01J 19/00
, C23C 14/50
, H01L 21/205
