特許

J-GLOBAL ID：200903017168679500

半導体装置およびその作製方法

発明者： 高山 徹 ,  山崎 舜平 ,  佐藤 恵司 ,  秋元 健吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090389
公開番号（公開出願番号）：特開2001-281694
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】 金属配線と透明電極を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。【解決手段】配線材料については耐酸化性金属からなる薄膜層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする薄膜層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる薄膜層からなる3層以上の構造とし、また透明電極材料に金属酸化物を使用する。また、配線形成後、酸素プラズマ処理する方法と、熱酸化処理する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

画素部を有する半導体装置において、前記画素部に設けた画素電極は光透過性を有し、絶縁膜上に形成され、導電性金属配線と接続しており、前記導電性金属配線は、耐熱性金属からなる第一の導電層と、前記第一の導電層の上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第二の導電層と、前記第二の導電層の上に形成された耐熱性金属からなる第三の導電層と、から成り、前記耐熱性金属は、Ti、Cr、Mo、Wから選ばれた一あるいは複数の元素を主成分とし、前記画素電極は、前記第三の導電層の表面及び端部に接触し、前記画素電極は、前記第一の導電層と、前記第二の導電層の端部に接触し、前記第二の導電層と前記画素電極との境界における、アルミニウム濃度は70atomic%以下であり、かつ、酸素濃度は25atomic%以上である領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G02F 1/1368 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 310 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 310 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 29/78 616 J

Fターム (105件)：

2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA19 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA03 ,  2H092PA06 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM15 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

• アクティブマトリクス表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222193   出願人：株式会社東芝
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-176865   出願人：富士通株式会社
• 電子部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315698   出願人：シャープ株式会社
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094057   出願人：株式会社日立製作所
• 液晶表示装置、マトリクスアレイ基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110659   出願人：株式会社東芝