特許
J-GLOBAL ID：200903017170566322
プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置のプラズマクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101697
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294306
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子基盤等をエッチング加工するマイクロ波エッチング装置のアース電極に付着する反応生成物の生成を抑制してクリーニング処理の周期を長くして装置の稼働率と歩留まりを向上させる。【解決手段】 被加工物を載置する試料台の周囲に配置されたアース電極の内部に磁場発生コイルを収納し、励磁することによりアース電極周囲に環状磁場を形成して、磁界とマイクロ波とによって生成された反応生成物のイオン、電子がアース電極の表面に侵入するのを防止した構成、アース電極の温度を低温に冷却してアース電極の近傍における反応生成物の生成を抑制した構成、あるいはアース電極以外の部分を加熱して反応生成物の発生を抑制した構成がある。
請求項（抜粋）：
被加工物を載置する試料台、上方に試料台が収容される開口部を有し加工空間の下部を形成する容器、上記試料台の上方に加工空間を形成し、この加工空間を封止する真空ドーム、真空ドームの周囲を包囲する導波管、導波管の上部に配置されたマイクロ波発生手段、上記導波管の周囲に配置され、加工空間に磁界を与えるソレノイドコイル、容器上方の開口部の内周と上記試料台との間に配置された環状のアース電極、上記試料台の上面に載置された被加工物に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電圧電源、加工空間を減圧状態に排気する減圧排気手段、加工空間に処理ガスを供給する処理ガス供給手段を備え、上記減圧された加工空間に導入された処理ガスに磁界およびマイクロ波を与えてプラズマ化し、被加工物をエッチング加工するプラズマエッチング装置であって、上記アース電極の内部に、アース電極とは電気的に絶縁して収納した磁場発生コイルが配置されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 D
, H05H 1/46 A
