特許
J-GLOBAL ID：200903017173625109
マイクロミラーデバイス用の支持柱およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-285390
公開番号（公開出願番号）：特開平8-227043
出願日： 1995年11月01日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【課題】 支持構造の強度、スペーサの化学的安定性、スペーサ表面の平坦化、が改善された、マイクロミラーデバイス用のメタライズ支持柱およびその製造方法の開示。【解決手段】 マイクロミラーデバイスに用いられるメタライズ支持柱408は、基板400上に柱材料層402を堆積し、該柱材料層をパターン形成して支持柱404を画定し、かつ支持柱404をおおって該支持柱を包囲する金属層406を堆積することにより、製造される。該柱408の頂部と同じ高さの平らな表面が、該柱408をおおうスペーサ層410を付着させることによって作られる。スペーサ層410の付着後、メタライズ支持柱408を被覆しているスペーサ材料を除去するために、該スペーサ層内へ穴414がパターン形成される。次に、前記スペーサ層は再流動化されて前記穴を満たし、かつ該スペーサ層の表面を低下させ、それにより該表面はメタライズ支持柱408の頂部と同一平面をなさしめられる。
請求項（抜粋）：
基板上に柱材料を堆積するステップと、前記柱材料をパターン形成して支持柱を画定するステップと、前記支持柱をおおう金属層を、該支持柱が該金属層によって包囲されてメタライズ支持柱を形成するように、堆積するステップと、前記メタライズ支持柱の周囲にスペーサ層を堆積するステップと、前記メタライズ支持柱の回りおよび頂部上の前記スペーサ層の部分を除去するステップと、前記スペーサ層を再流動化して前記第2スペーサ層と前記メタライズ支持柱との間のギャップを満たすステップと、を含む、メタライズ支持柱の製造方法。
IPC (3件)：
G02B 26/08
, H04N 5/74
, H04N 9/31
G02B 26/08 E
, H04N 5/74 A
, H04N 9/31 B
