特許

J-GLOBAL ID：200903017177465092

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 里木 正典
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144960
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300621
出願日： 2007年05月31日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】サファイア基板に起因する光の漏れ、吸収、発熱等の課題を回避するとともに、発光層から発生する光を十分効果的に取り出すことができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板と、少なくとも第1の絶縁膜を介して前記支持基板上に配置された半導体層と、該半導体層の側面方向に設けられた反射部と、前記支持基板上で半導体層を被覆する封止部材とからなる半導体発光素子であって、第1の絶縁膜は、半導体層の外周において、その上面が、半導体層の底面より支持基板に近い位置に配置されてなることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、少なくとも第1の絶縁膜を介して前記支持基板上に配置された半導体層と、該半導体層の側面方向に設けられた反射部と、前記支持基板上で半導体層を被覆する封止部材とからなる半導体発光素子であって、 第1の絶縁膜は、半導体層の外周において、その上面が、半導体層の底面より支持基板に近い位置に配置されてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (16件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA58 ,  5F041DB03 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-154184   出願人：豊田合成株式会社