特許
J-GLOBAL ID：200903017177487029
イオン/電子ビーム応用装置の二次粒子検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-053961
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250060
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【構成】電子ビーム発生装置先端部に設けた帯電粒子用引出電極,帯電粒子偏向機,二次粒子検出制御器などで構成される。【効果】試料の近くに複雑に装置が配置されたFIB-SEM(SEM付きFIB加工装置)において、試料の近くに帯電粒子検出器を設ける必要なく、かつ、従来の検出感度を低下させることなく、試料より発生した二次イオンや二次電子が検出出来るようになった。
請求項（抜粋）：
試料のほぼ同一点にイオンビームもしくは電子ビームを照射するように前記イオンビームの鏡筒と前記電子ビームの鏡筒とを試料に向けて配置したイオンと電子の複数ビーム応用装置において、前記イオンビームもしくは前記電子ビームの照射により試料から発生したイオンもしくは電子などの帯電性二次粒子を前記電子ビームの鏡筒を通して検出するようにしたことを特徴とするイオン/電子ビーム応用装置の二次粒子検出方法。
IPC (4件)：
H01J 37/244
, H01J 37/28
, H01J 37/30
, H01L 21/3065
H01J 37/244
, H01J 37/28 Z
, H01J 37/30 Z
, H01L 21/302 E
