特許
J-GLOBAL ID：200903017180496543
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260123
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102148
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 Ag金属系配線中のAg原子が層間絶縁膜側に拡散するのを防止できる配線構造の半導体装置を得んとするものである。【構成】 シリコン基板11上に絶縁膜12を形成し、コンタクトホール13を開口し、次に、Ti膜14,TiN膜(拡散防止層)15,Ag膜16をDCマグネトロンスパッタ法にて、順次形成する。コンタクト配線部と所定の配線部が形成されるように、Ag膜16,TiN膜15,Ti膜14をパターンニングする。これら配線の上に、保護膜である窒化ケイ素膜18をプラズマCVD法で形成する。この窒化ケイ素膜は、Ag原子の拡散を阻止する作用を有するため、信頼性の高いデバイスを得る。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に,拡散防止層を介して選択的に形成されたAg金属系配線を有する半導体装置において、前記Ag金属系配線の上面及び側面に、窒化ケイ素からなる保護層を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/283
, H01L 21/318
, H01L 21/90
, H01L 29/46
