特許
J-GLOBAL ID：200903017184526510
マグネトロンスパッタリング用Siターゲット材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-120962
公開番号（公開出願番号）：特開平6-306598
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 長期に亘ってパーティクルの少ない成膜形成が可能なマグネトロンスパッタリング用Siターゲット材を提供する。【構成】 マグネトロンスパッタリング用Siターゲット材が、スパッタ面の平面リング状のエロージョン部の表面粗さを0.01〜0.05μmRa(中心線平均粗さ)とし、残りのスパッタ面の中央部および外周縁部で構成された非エロージョン部の表面粗さを0.2〜2μmRaとしてなる。
請求項（抜粋）：
スパッタ面の平面リング状のエロージョン部の表面粗さを0.01〜0.05μmRa(中心線平均粗さ)とし、残りのスパッタ面の中央部および外周縁部で構成された非エロージョン部の表面粗さを0.2〜2μmRaとしたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング用Siターゲット材。
引用特許：
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