特許

J-GLOBAL ID：200903017185752742

高耐圧半導体素子

発明者： 中川 明夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133801
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 オン抵抗の低い高耐圧半導体素子を提供すること。【解決手段】 高電位側の低抵抗層11と低電位側の低抵抗層13の間にn型の層とp型の層が交互に規則的に繰り返されて存在する部分を有する高耐圧半導体素子であって、このn型p型層は高電位側の低抵抗層と低電位側の低抵抗層を結ぶ方向に延在して存在し、高耐圧引加時にこの交互のn,p層が空乏化して高電圧を支え、高濃度のn型16と高濃度のp型の層15が繰り返し接する部分を有し、少なくとも高濃度のn型層同士、または高濃度のp型層同士の間はそれより低濃度の半導体層10または絶縁層14が介在していることを特徴とする高耐圧半導体素子。

請求項（抜粋）：

高電位側の低抵抗層と低電位側の低抵抗層の間にn型の層とp型の層が交互に規則的に繰り返されて存在する部分を有する高耐圧半導体素子であって、このn型p型層は高電位側の低抵抗層と低電位側の低抵抗層を結ぶ方向に延在して存在し、高耐圧引加時にこの交互のn,p層が空乏化して高電圧を支え、高濃度のn型と高濃度のp型の層が繰り返し接する部分を有し、少なくとも高濃度のn型層同士、または高濃度のp型層同士の間にはそれより低濃度の半導体層または絶縁層が介在していることを特徴とする高耐圧半導体素子。

FI (4件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 653 A

Fターム (7件)：

5F040DA22 ,  5F040EB12 ,  5F040EB13 ,  5F040EF01 ,  5F040EF11 ,  5F040EF18 ,  5F040EM01