半導体記憶装置及びそのデータ書込み方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186695
公開番号（公開出願番号）：特開平11-039885
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】消費電力の増大を抑制しながら、短時間で確実なデータ書換えを行うことが可能な構成の半導体記憶装置及びそのデータ書込み方法、具体的には、電気的データ書換え可能な不揮発性メモリ及びそのデータ書込み方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、出力するクロック信号の周波数をデータ書込み時間内に切り替える周波数切替回路を備え、データ書込み信号を生成するための高電圧信号を発生させる昇圧回路に周波数切替回路から出力されるクロック信号が入力されるように構成したものである。また、本発明に係る半導体記憶装置のデータ書込み方法は、データ書込み信号を生成するための高電圧信号を発生させる昇圧回路における電圧の昇圧を行うために昇圧回路に入力するクロック信号の周波数をデータ書込み時間内に切り替えるものである。

請求項（抜粋）：

装置外部又は内部に配設された発振器が発生する原クロック信号に基づき第1の周波数のクロック信号を生成し、かつ、装置全体の制御を行う制御回路と、縦列接続されたn段(nは自然数)のバイナリ・カウンタからなり、第1段目の前記カウンタに前記第1の周波数のクロック信号が入力され、第n段目の前記カウンタの出力が前記制御回路に入力されるカウンタ群と、前記第1の周波数のクロック信号と第1段目から第n-1段目までの前記カウンタのいずれかの出力である第2の周波数のクロック信号とが入力され、前記データ書込み時間開始後の所定期間内は前記第1の周波数のクロック信号を出力し、前記データ書込み時間内の前記所定期間の経過後は前記第2の周波数のクロック信号を出力する周波数切替回路と、前記周波数切替回路から出力される前記第1又は第2の周波数のクロック信号のいずれかに基づき電圧の昇圧を行い、高電圧信号を出力する昇圧回路と、前記昇圧回路から出力される高電圧信号を用いてデータ書込み信号を生成し、所定のタイミングで出力するデータ書込み信号生成手段と、前記データ書込み信号によりデータの書換えが行われるメモリセルと、を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 16/02 , G06F 1/26 , G06F 1/32 , G06F 1/04 301 , G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 17/00 611 E , G06F 1/04 301 A , G06F 1/00 330 D , G06F 1/00 332 Z , G11C 17/00 632 A

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