特許
J-GLOBAL ID：200903017188862891
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075025
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283611
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】内部回路から発生する電源ノイズを低減するためのバイパスコンデンサを、半導体チップ内部に形成してシステムの小型化およびノイズ低減能力の向上を図る。【構成】多層配線構造の半導体チップの外周に沿って、層間絶縁膜4の一部に薄い層間絶縁膜4aを設けて、対向する下層配線3と上層配線6とをそれぞれ電源配線と接地電位配線として、バイパスキャパシタとする。【効果】半導体チップの面積を増加することなく、電源ノイズを低減するための大きな容量値をもつバイパスキャパシタを形成することができる。従来半導体チップの外部に実装していたキャパシタを削減して、システムを小型化することができる。半導体チップ内部にバイパスコンデンサを形成することにより、電源ノイズ低減効果が向上するとともに、EMI(電波雑音干渉)発生の低減を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された下層配線および上層配線が層間絶縁膜を挟んで対向して容量素子を構成している半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/90
, H01L 27/10 491
