特許

J-GLOBAL ID：200903017190061090

非単結晶半導体薄膜の製造方法及び半導体装置

発明者： 阿閉 忠司 ,  徳永 博之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327612
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183562
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 光学的禁制帯幅を連続的に変化させた非単結晶半導体薄膜において、光電特性としてのキャリアの輸送を阻害する再結合中心となる欠陥密度を、光学的禁制帯幅が変化するすべての領域で減少させてキャリア走行性を改善する。【構成】 少なくともSi原子を含む非単結晶半導体薄膜からなり、プラズマCVDでSiを含む原料ガスと光学的禁制帯幅を変化させるための元素を含む原料ガスの流量比を連続的に変化させ、その光学的禁制帯幅を連続的に変化させた半導体薄膜の製造方法において、光学的禁制帯が狭い領域では、前記Siを含む原料ガスと、光学的禁制帯幅を変化させるための元素を含む原料ガスとの流量の和に対する希釈ガスの希釈率を大きくし、光学的禁制帯幅が広い領域では、前記希釈率を小さくすることを特徴とする非単結晶半導体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくともSi原子を含む非単結晶半導体薄膜からなり、プラズマCVDでSiを含む原料ガスと光学的禁制帯幅を変化させるための元素を含む原料ガスとの流量比を連続的に変化させ、その光学的禁制帯幅を連続的に変化させた半導体薄膜の製造方法において、前記光学的禁制帯幅が狭い領域では、前記Siを含む原料ガスと、光学的禁制帯幅を変化させるための元素を含む原料ガスとの流量の和に対する希釈ガスの希釈率を大きくし、前記光学的禁制帯幅が広い領域では、前記希釈率を小さくすることを特徴とする非単結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 B