特許

J-GLOBAL ID：200903017190147008

ショットキーダイオードの製法

発明者： ラインハルト ローゼハント ,  フーベルト ヴェルトマン
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-551431
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514371
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：

【要約】本発明は、ショットキーコンタクトの周縁部に保護リング(10)を有するショットキーダイオードの製法に関する。ショットキー接触の周縁領域に保護リング(10)を有するショットキーダイオードの製法において、構造化されたマスキング層(3)を予め備えた半導体層(2)の表面(8)上に保護リング材料(4)を析出させ、引き続き保護リング材料(4)をケイ化することにより保護リング(10)を製造する。その際、保護リング材料は金属、殊に白金を含有する高障壁金属である。

請求項（抜粋）：

ショットキーコンタクトの周縁領域に保護リング(10)を有するショットキーダイオードの製法において、構造化されたマスキング層(3)を予め備えた半導体層(2)の表面(8)上に保護リング材料(4)を析出させ、引き続き保護リング材料(4)をケイ化することにより保護リング(10)を製造することを特徴とする、ショットキー接触の周縁領域に保護リング(10)を有するショットキーダイオードの製法。

IPC (2件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

Fターム (6件)：

4M104BB06 ,  4M104BB22 ,  4M104CC03 ,  4M104DD84 ,  4M104FF37 ,  4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-157268
  
• 特開昭54-015673
  
• 特開昭60-157268
  
• 特開昭54-015673