特許
J-GLOBAL ID：200903017195260473
選択的に(111) 結晶配向を有するTiN バリヤー層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198360
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190493
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 集積回路構造上に、(111) 結晶配向を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法を提供することにある。【構成】 シリコン表面上に、(111) 結晶配向をもつ表面を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法であって、a)シリコン表面上に第一のチタン層を堆積する工程と、b)該第一のチタン層上に窒化チタン層を堆積する工程と、c)該窒化チタン層上に第二のチタン層を堆積する工程と、d)窒素-含有ガスの存在下でかつ酸素-含有ガスの不在下でかくして得られる構造体をアニールして、該第二のチタン層から(111) 結晶配向をもつ窒化チタンを形成する工程とを含み、該生成窒化チタンバリヤー層が(111) 結晶配向をもつ表面および充分な厚みを有していて、該窒化チタンバリヤー層上に後に形成されるアルミニウムによるスパイク現象から該下地シリコンを保護することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(111) 結晶配向表面を有する窒化チタンバリヤー層をシリコン表面上に形成する方法であって、a) シリコン表面上に第一のチタン層を堆積する工程、b) 該第一のチタン層上に窒化チタン層を堆積する工程、c) 該窒化チタン層上に第二のチタン層を堆積する工程、d) 得られた構造体を、窒素-含有ガスの存在下、かつ酸素-含有ガスの不在下でアニールして、該第二のチタン層から(111) 結晶配向表面を有する窒化チタン層を形成する工程、を含み、該生成する窒化チタンバリヤー層が(111) 結晶配向表面および充分な厚みを有していて、後に該窒化チタンバリヤー層上に形成されるアルミニウムによるスパイク現象から下地のシリコンを保護することを特徴とする、上記窒化チタンバリヤー層の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
