特許
J-GLOBAL ID：200903017197173691
ゲート絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-032302
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252116
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 破壊電界強度、TDDB特性等の特性の優れたゲート絶縁膜の形成を可能とする。【構成】 単結晶Si基板上の汚染層、自然酸化膜等の不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させた後、表面の清浄な状態を保持しながら、ゲート絶縁膜形成工程に移行し、ゲート絶縁膜形成を行う。【効果】 汚染層、自然酸化膜等の不用層の存在そのものをゲート絶縁膜形成過程から完全に排除する事により、ゲート絶縁膜の破壊電界強度、TDDB等の特性も大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタに用いられるゲート絶縁膜の形成方法において、単結晶Si基板上に存在する汚染層、自然酸化膜等の不用層を除去し、清浄な単結晶Si基板表面を露出させる工程を含み、清浄な単結晶Si基板表面が露出された状態を保持しながらゲート絶縁膜を形成する工程に移行する事を特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/316
, H01L 21/336
, H01L 29/784
