特許
J-GLOBAL ID:200903017198427581

半導体製造装置用カーボン支持体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高畑 正也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-174835
公開番号(公開出願番号):特開平7-086378
出願日: 1993年06月22日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】 エピタキシャル成長工程やプラズマエッチング工程において、常に歩留よく半導体製品を得ることができる半導体製造装置用カーボン支持体を提供する。【構成】 比重1.47以上、含有ポアーの大きさが20μm 未満でそのポアー含有率が5%以下の組織性状を有し、かつ総灰分5ppm 以下で硫黄含有量が10ppm 以下の純度特性を備えるガラス状カーボン材により形成された半導体製造装置用カーボン支持体。
請求項(抜粋):
比重1.47以上、含有ポアの大きさが20μm 未満でそのポア含有率が5%以下の組織性状を有し、かつ総灰分が5ppm 以下で硫黄含有量が10ppm 以下の純度特性を備えるガラス状カーボン材により形成された半導体製造装置用カーボン支持体。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  C01B 31/02 101 ,  C04B 35/52
引用特許:
審査官引用 (3件)

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