特許
J-GLOBAL ID：200903017202489074
キャリアリーク抑圧方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103000
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312623
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】キャリアが高周波数化されても、キャリアリークを十分に抑圧できるキャリアリーク抑圧方法及び無線通信機器用半導体装置を提供する。【構成】変調用回路1は入力信号IとキャリアLoとを入力し、キャリアLoに基づいて入力信号Iを変調した信号を出力する。信号生成回路3は、変調用回路1の出力側2におけるキャリアリークの位相及び振幅に基づいて、キャリアLoからキャリアリークの位相と逆相であり、かつ、前記キャリアリークの振幅と等しい振幅の等しい抑圧信号を生成する。信号生成回路3の抑圧信号を出力側2に印加する。
請求項（抜粋）：
入力信号とキャリアとを入力し、キャリアに基づいて入力信号を変調した信号を出力する変調用の回路を形成した半導体装置において、前記変調用回路の出力側におけるキャリアリークの位相及び振幅を検出し、前記キャリアリークの位相及び振幅に基づいて、前記キャリアから前記キャリアリークの位相と逆相であり、かつ、前記キャリアリークの振幅と等しい振幅の抑圧信号を生成し、その抑圧信号を前記変調用回路の出力側に印加するようにしたキャリアリーク抑圧方法。
IPC (3件)：
H04L 27/20
, H04B 1/04
, H04L 27/36
