特許
J-GLOBAL ID：200903017203465152
高電子移動度トランジスタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160161
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】ゲート耐圧が高く、特性のばらつきが小さいInAlAs/InGaAs系材料を用いたHEMTを提供することを目的とする。【構成】半絶縁性InP基板1上にバッファ層2を介して形成されたInGaAsチャネル層3と、このチャネル層3上にスペーサ層4を介して形成されたn型のInAlAs電子供給層4とを有し、電子供給層4上にInGaAlPショットキーコンタクト層6が形成されて、これにショットキーゲート電極8が形成され、ショットキーゲート電極8を挟んでショットキーコンタクト層6上に、InGaAsオーミックコンタクト層7を介してソース、ドレイン電極9、10が形成された構造を有する。
請求項（抜粋）：
チャネル層、スペーサ層、及びn型の電子供給層を含む主構造部と、前記チャネル層は前記スペーサ層の一方の面側に形成され、前記電子供給層は前記スペーサ層の他方の面側に形成されることと、前記主構造部を支持する半絶縁性半導体基板と、前記主構造部上に形成されたショットキーコンタクト層と、前記ショットキーコンタクト層上に形成されたショットキーゲート電極と、前記ショットキーゲート電極を挟んで前記ショットキーコンタクト層上に形成された第1及び第2オーミックコンタクト層と、前記第1オーミックコンタクト層上に形成された第1オーミック電極と、前記第2オーミックコンタクト層上に形成された第2オーミック電極と、を具備し、前記電子供給層はIn<SB>m </SB>Al<SB>n </SB>As(ここで、m+n=1、0<m、0<n)からなり、前記ショットキーコンタクト層はIn<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>P(ここで、x+y+z=1、0≦x≦0.9、0≦z≦0.5)からなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
